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1)  ideal rotor
理想转子
1.
Rub-impact movement of a ideal rotor is under consideration based on the Poicare map in the paper.
应用poincare映射方法对理想转子碰摩运动的单碰运动进行分析,通过严格的理论推导,得出了理想转子单点刚性碰摩的存在条件,并指出当激振力的频率(ω)与系统的固有频率(ω0)比值(ω)为无理数时,周期性的单碰运动是不存在的;导出了判断理想转子周期性碰摩运动稳定性的特征方程。
2)  shifting ideals
理想转嫁
3)  Ideality factor
理想因子
1.
Research on the ideality factor of GaN light-emitting diodes on Si substrate;
Si衬底GaN基LED理想因子的研究
2.
The ideality factor and the barrier height of Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure are calculated by I-V measurement in a wide temperature range.
通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算。
3.
An ideality factor of n=3 and a series resistance of RS=93Ω are obtained from the forward current-voltage curve of the device.
从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω。
4)  ideal factor
理想因子
1.
Before gate metallization,experiment were made through different surface treatment methods and results show that the Schottky characteristics can be improved,but reverse leakage current and ideal factor can not be obtained fundamentally.
在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题。
2.
It is found that in the backward voltage segment of the I-V curve the leakage current is larger because of deep-level-assistant tunneling;under little forward voltage metal gathers along with the dislocations thus leads to leakage current;in the generation-recombination and diffusion current segments the restriction from MQWs leads to larger ideal factor;low imp.
结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向小偏压下因沿着位错汇聚金属产生漏电流;产生-复合电流区和扩散电流区因多量子阱限制而理想因子偏大;由于有源区低掺杂,在10 A/cm2就开始形成大注入区;在大电流下也因为串联电阻分压而形成串联电阻区。
3.
After annealing the barrier height and the ideal factor of the diode increased from 0.
计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。
5)  operator ideal
算子理想
1.
On the reflexive cosingular operator ideals;
关于弱自反余奇异算子理想
2.
On the reflexive singular operator ideals;
关于弱自反奇异算子理想
6)  Ideal subgraphs
理想子图
补充资料:理想流动与理想反应器


理想流动与理想反应器
ideal flow and ideal reactor

  I以一ong}一udong yu}ixiong fany!ngql理想流动与理想反应器(ideal flow and idealreactor)轴向完全无混合和完全混合的流动统称理想流动,能使流体呈理想流动的设备或容器称为理想反应器。在有色金属冶金反应器中,流动情况往往很复杂,这给反应器的设计与计算带来很大的不便。冶金反应工程学采用了简化的方法,从错综复杂的实际流动中,假定两种理想流动模型,其物理意义明确,数学表达简便,能反映流动过程的本质和规律,这种流动的数学描述就是理想反应器的流动模型。 物料流动状况流体的流动是影响反应器宏观动力学的最重要因素,因为在反应器内进行的任何反应都与热量的供给(或排出)、物质的输入和输出密切相关,而这种热和物质的传递都是与流动相伴随而进行的。物料在反应器中的停留时间长短完全受流动的影响;反应进行的主要影响因素如物质的浓度、温度、反应时间、反应物相互接触等都与流动情况有关,因此反应的速率也必然受到流动状况的影响。这种影响在反应器设计和把小试验结果放大时,就会更为突出地表现出来,致使放大后的效果远离根据小试验结果所作出的预测。为此,有必要研究反应器中的物料流动状况,找出描述它的方法和判断它优劣的标准,这是研究理想流动及理想反应器的主要目的。 一些皿要概念主要有停留时间、空时、空速和返混。流体以v(m”/h)的流率流经体积为VR(m“)的 Vo.、,、,~,__,决一一、.、~、,_,一,,反应器时,r一丫(“)称为停留时间。若以进料时的‘,____‘.,_._.V。_,、.、_一、._.体积流率v0代替”,则一了称为空时,在恒容过程中?一。,二者完全一致。S一告称为空间速度(空速)。流经反应器的流体,可看成是由无数微小单元所组成,若各个具有不同停留时间的微小单元有互相混合则称为返混。 理想反应器理想反应器有间歇式搅拌反应器、完全混合反应器及活塞流反应器三种,如图1所示。。夕,料.均匀混合 }与1进料产品}气as牙仁一 、、均匀混合、,_ 一‘一产品 ab‘ 图l三种理想反应器 a一问歇式;b一活塞流式;‘一完全混合式 间歇式反应器或称分批式反应器。间歇式反应器中设有搅拌装置,物料一次加入反应器内,搅拌使其立即混合均匀,反应完成后,将全部物料卸出,再进行下一批的装料与反应。在任一瞬间整个反应器内的物料组成到处均匀,不随其空间位置而随时间不断地变化;所有物料的反应时间与停留时间一致,且完成液中反应转化率均匀。
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参考词条