1) sputtering method
溅射沉积法
1.
The advantages and shortcomings of the preparation methods,including traditional electrode method,thin-film electrode method,two-layer electrode method,electrodeposition method and sputtering method,are discussed.
简述了直接甲醇燃料电池(DMFC)的核心部件———膜电极(MEA)的结构及制备技术的最新进展,包括传统厚层电极法、薄层电极法、双层电极法、电沉积法和溅射沉积法,分析了各种方法的优缺点。
2) sputtering
溅射
1.
XPS study of Ni_(49.54)Mn_(29.59)Ga_(20.87) magnetically driven shape memory alloy thin film fabricated by D.C magnetron sputtering technique;
直流磁控溅射Ni_(49.54)Mn_(29.59)Ga_(20.87)磁驱动记忆合金薄膜的XPS研究
2.
Growth and characterization of aluminum nitride films by penning-type discharge plasma sputtering process;
潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质
3.
Growth of TiN Film by Modified Ion Beam Enhanced Magnetron Sputtering;
气离溅射离子镀制氮化钛
3) Sputtered
溅射
1.
In order to improve appearance and hydrophobicity of waterproof and moisture permeable coatings, the yellowish of sputtered polymeric fluorocarbon films was investigated.
为改善射频溅射法制备的防水透湿涂层的外观和拒水性 ,对涤纶织物基底上的溅射氟碳高分子膜的泛黄问题进行了研究。
2.
By means of the Monte-Carlo simulation based on the binding collision approximation,this paper investigates the sputtering of Silver and Cadmium element targets bombarded by 27 keV Ar+ ions and studies the spatial distribution of sputtered atoms by collision cascade.
用蒙特卡罗方法模拟能量为２７ｋｅＶＡｒ＋轰击Ａｇ和Ｃｄ单元素靶的力学运动，以研究级联碰撞产生的溅射原子的空间分布情况，对计算结果进行适当的数学处理，以得出微分溅射产额角分布。
3.
The XRD patterns of SnO2 thin film sputtered with different methods are compare 1 for their difference in the field of structure.
本文采用三种不同的溅射方法制备具有纳米尺度的SnO2薄膜,针对溅射方式的不同,结合薄膜结构上的差异,对三种溅射方式制备的SnO2薄膜进行了XRD分析比较。
4) sputter
溅射
1.
Cu films sputtered with applied magnet under substrate and their microstructures;
基片下磁场中溅射镀铜薄膜及其微结构
2.
Zinc Oxide Thin Films Prepared Using Microwave ECR Plasma Sputtering Method;
微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜
3.
Study of TiN Thin Film by Microwave ECR Plasma Reaction Sputtering Deposition;
微波ECR等离子体溅射沉积TiN薄膜的研究
5) magnetron sputtering
磁控溅射
1.
Preparation and characterization of anti-bacterial nonwovens by magnetron sputtering rare-earth activated TiO_2 onto PET fabric;
磁控溅射制备稀土激活TiO_2复合抗菌非织造布
2.
Effect of depositing process on microstructure chromium nitride coatings deposited by reactive magnetron sputtering;
反应磁控溅射沉积工艺对Cr-N涂层微观结构的影响
3.
Characterization study of Al magnetron sputtering coating on AZ31 magnesium alloy;
AZ31镁合金磁控溅射镀铝膜的性能研究
6) sputtering target
溅射靶材
1.
The current market condition and development tendency of high purity copper sputtering targets were introduced.
简要介绍了高纯铜溅射靶材目前的市场情况、现状、应用领域和未来高纯铜溅射靶材发展趋势;并对高纯铜溅射靶材的特性要求以及微观组织控制做了简单的阐述。
2.
ZAO thin films have a wide application prospect owing to its perfect optical and electrical characteristics(ZAO thin films prepared with a sputtering target doped with Al_2O_3 (3% mass fu.
由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4。
参考词条
补充资料：电解沉积法生产镉
电解沉积法生产镉
production of cadmium by electrowinning
d一anJ一e ehenjifo shengehon ge电解沉积法生产镐(produetion of cadmiumby eleetrowinning)从含福原料制得的纯净福电解液，经电解沉积生产金属镐的过程，为福生产方法之一。主要用于处理铜福渣，工艺流程如图。主要包括铜福渣硫酸浸出、锌粉置换沉淀海绵福、海绵福溶解造液、福电解沉积和福熔铸等过程。 铜锡渣硫酸浸出铜锡渣为湿法炼锌厂的副产物，含福2.5%一12%;此外，还含锌35%一60%、铜4%一17%、铁0.05%~2.0%和少量砷、锑、5102、钻、镍、佗、锢等杂质。在浸出前将其堆放在空气中氧化，可加速浸出过程，但同时也增加了铜的溶解损失，只宜用于处理含铜较低的铜锡渣。 铜锡渣的浸出使用硫酸或福电解及锌电解的废液，在机械或空气一机械搅拌槽(见浸出糟)中进行。将硫酸缓慢加入盛有铜福渣的浸出槽中，在保持含游离酸10一159/L的最高浸出酸度和353一363K温度下，浸出6一sh。当酸度降至5一49/L时加入软锰矿，在_二敏化锰铜锅渣硫酸公 福锭 电积法从铜锡渣生产锡工艺流程pHd.8一尔。时加氧化锌粉中和至pHS.2一5.4以除去浸出液中的铜，停止搅拌。浸出的主要反应为: Cd十ZH+一一(:dZ干一衬HZ Cd()斗一ZH十一一二二CdZ书十HZO Zn十ZH长一~之ZnZ千十H: Cu(〕升一ZH辛=一州二uZ十十H:O Cu洲十Cd一一气!dZ未一粉Cu除锌锅外，镍、钻、锢、铭等杂质也进入溶液。 锌粉置换沉派海绵锅净化除杂质后过滤所得的滤液，又重新加硫酸酸化至pH3一4，然后缓慢加入锌粉置换沉淀福，至溶液含锡小于10009/L时进行压滤所得海绵福含福60%~80%。 海绵锅溶解造液将海绵福和浓硫酸加入机械搅拌槽中进行溶解造液，在维持358一363K温度下溶解2一3h待溶液酸度降至。，5一19/I，，便加KMnO。氧化除铁。接着用石灰乳中和溶液至pHS.4使部分杂质水解而除去。然后再加入海绵镐使溶液pH降至3·8一4.。，置换除铜后便可送去过滤。所得滤液即为纯净的铜电解液，其主要成分(质量浓度尸/g·l‘)为: (二d Zn Fc(二。;八s斗S十， 200一250 20~30长0.05<口.‘)0‘)5<().(jol 锅电解沉积与锌电解沉积过程相似以铝板作阴极，用纯铅或铅银合金(含银
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