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1)  process of thin film deposition
薄膜沉积过程
2)  thin film deposition
薄膜沉积
1.
Fresnel lens fabricated by thin film deposition;
薄膜沉积法制作菲涅耳透镜
2.
A novel technique-anodic vacuum arc coating for thin film deposition is reviewed in this paper.
本文介绍了一种新的薄膜沉积方法──阳极真空电弧镀膜法。
3.
The 16-step Fresnel lens had been fabricated by thin film deposition and ion beam etching and it has been used in refractive-diffractive CCD camera.
使用薄膜沉积法和离子束刻蚀法制作16阶菲涅耳透镜,应用于折衍混合CCD相机。
3)  film deposition
薄膜沉积
4)  sedimental CeO 2 film
沉积CeO2薄膜
5)  As-deposited film
沉积态薄膜
6)  Deposition Process
沉积过程
1.
Characteristics and process principle of cold gas spray process were introduced briefly and deposition process of supersonic Cu particles impacting onto substrate was analyzed.
分析了超音速Cu颗粒与基材高速撞击沉积过程,借助扫描电镜分析了涂层结合机理:涂层与基体的界面结合以及涂层之间的粒子结合主要以机械咬合为主;涂层之间的结合同时有部分冶金结合和物理结合。
补充资料:正规过程和倒逆过程
      讨论完整晶体中声子-声子散射问题时,由于要求声子波矢为简约波矢(见布里渊区),所得到的总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量G)。例如对于三声子过程有下列条件
  
  
     , (1)
  式中q1和q2是散射前的声子简约波矢, q3为散射后声子波矢,式(1)中G)的取值应保证q3也是简约波矢。这时会出现两种过程,其一是当q1+q2在简约区内时,可以取倒易点阵矢量G)=0,式(1)则简化为总波矢守恒条件,称为正规过程或N过程。其二是当q1+q2超出简约区时,所取G)应保证q3仍落于简约区内,由于q3与q1+q2相差G),显然q3位于q1+q2的相反一侧,这时散射使声子传播方向发生了倒转,故称为倒逆过程或U过程。U过程总波矢不守恒,但总能量守恒,因为声子频率是倒易点阵的周期函数,而q3与q1+q2只相差一个倒易点阵矢量。N过程在低温长波声子的散射问题中起主要作用。当温度升高,简约区边界附近的声子有较多激发时,U过程变得十分显著,它对点阵热导有重要贡献。
  
  在能带电子与声子散射问题中存在着与式 (1)相仿的总波矢条件
  k+G=k┡±q,
  
     (2)
  式中k与k┡分别为散射前后电子的简约波矢,±号分别对应于吸收或发射q声子。类似的在热中子-声子散射以及晶体中一切波的相互作用过程中,总波矢变化都相差一个倒易点阵矢量G),因此也都有N与U过程之分。这是晶体和连续媒质不同之处,连续媒质对无穷小平移具有不变性,才能求得总波矢守恒,而晶体只具有对布喇菲点阵的平移不变性,因此总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量。
  

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参考词条