1) tungsten carbide thin film
碳化钨薄膜
1.
Typical field emission patterns of tungsten carbide thin film is observed,and its I V behavior and Fowler Nordheim plot is measured.
在 1× 10 -6～ 10 -5Pa环境压强下 ,经过高温退火处理 ,在钨针尖上形成了碳化钨薄膜 ,利用场发射显微镜观察到清楚的钨单晶基底上碳化钨薄膜的场发射图像 ;对碳化钨薄膜的场发射I V特性及Fowler Nordheim曲线进行测量和计算 ;用透射电镜测得针尖曲率半径并估算出比例因子 β ,利用Fowler Nordheim公式计算得到碳化钨薄膜的逸出功约为 3 79eV 。
2) nano-crystalline tungsten carbide thin film
碳化钨纳米晶薄膜
3) tungsten oxide thin film
氧化钨薄膜
1.
X-ray photoelectron spectrum (XRS) show that there are three main kinds of stoichiometry tungsten oxide in tungsten oxide thin film prepared by r.
由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R。
4) Tungsten Oxide Films
三氧化钨薄膜
1.
In the text, the tungsten oxide films were prepared with sol-gel and reactive magnetron sputtering methods.
本文采用反应磁控溅射法和溶胶凝胶法制备了均匀致密的三氧化钨薄膜材料,对它的光学性质、表面形态、结构等进行了深入的研究。
2.
Study on the Property and Mechanism Sensitive to Hydrogen of Tungsten Oxide Films Doped Catalyst;
由于三氧化钨薄膜在常温下对氢气不敏感,本文采用掺杂改性来改善三氧化钨薄膜材料的氢敏性能,分别采用直流磁控溅射法和溶胶凝胶法制备了均匀的三氧化钨掺铂和掺钯薄膜材料,并对它的光学性质、表面形态、结构等进行了深入的研究。
5) tungsten titanium oxide film
氧化钨钛薄膜
6) WO3-MoO3 thin film
氧化钨钼薄膜
1.
The electrochemistry impedance spectroscopies of ITO plane electrodes and ITO plane electrodes with Ni doped WO3-MoO3 thin film immersed in 1 mol NaCl electrolyte were studied by means of the equivalent circuits.
用溶胶凝胶的方法在ITO导电基片上制备了一组不同掺镍量的氧化钨钼薄膜,分别测量了该系统及ITO电极浸泡于1 mol氯化钠溶液中不同频率下的电化学阻抗,应用等效电路法模拟了该系统的阻抗谱,从而获得了有关掺镍薄膜的电阻、电容及溶液在薄膜内扩散等信息。
补充资料：碳化钨-碳化钛-钴硬质合金
分子式：
CAS号：
性质：又称钨钛钴合金或YT合金。碳化钨、碳化钛和金属钴组成的合金。按碳化钛含量，可分为高钛(25％～40％)、中钛(10％～20％)和低钛(4％～6％)三类合金。它比碳化钨钴合金具有较高的抗氧化性，硬度和耐磨性，而抗弯强度、冲击韧性等则有所降低。主要用作切削加工钢材的工具。
CAS号：
性质：又称钨钛钴合金或YT合金。碳化钨、碳化钛和金属钴组成的合金。按碳化钛含量，可分为高钛(25％～40％)、中钛(10％～20％)和低钛(4％～6％)三类合金。它比碳化钨钴合金具有较高的抗氧化性，硬度和耐磨性，而抗弯强度、冲击韧性等则有所降低。主要用作切削加工钢材的工具。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条