MESFET VCO,MESFET VCO,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) MESFET VCO

MESFET VCO

2) MESFET

MESFET

The Influence of Trapping Effect on Frequency Characteristics in 4H-SiC MESFETs;

陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

Influence of the Trapping Effect on Temperature Characteristics in 4H-SiC MESFETs;

陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响

Study on Frequency Dispersion Effects of 4H-SiC MESFET Based on Traps;

基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析

3) MESFET

金属半导体场效应晶体管

A two-dimensional numerical model for 4H-SiC MESFET is established and the effect of the avalanche and tunneling on the elect rical breakdown characteristics is analyzed.

建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型 ,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用。

With excellent figure of merits such as high electron mobility, low anisotropy and low ionization compared with other types of SiC, 4H-SiC metal-semiconductor-field-effect-transistor (MESFET) is a p.

在微波功率器件中，4H-SiC金属半导体场效应晶体管（MESFET）更引起了人们的广泛重视，目前其应用主要集中于固态相控阵雷达系统、新一代移动通讯基站、超高频广播电视发射系统等领域。

4) MESFET

金属-半导体场效应晶体管

5) MESFET

金属半导体场效应管

Analysis of MESFET PA with Volterra Series Method;

伏特拉级数分析金属半导体场效应管放大器

6) MESFET

肖特基栅场效应晶体管

参考词条

VCO VCO VCO VCO VCO MESFET switch SiC MESFET GaAs MESFET SiC MESFET SiC MESFET 4H-SiC MESFET SiC MESFET GaAs MESFET 强峰拖尾妇女大会

补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）

金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）

JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。

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1) MESFET VCO MESFET VCO 2) MESFET MESFET 1. The Influence of Trapping Effect on Frequency Characteristics in 4H-SiC MESFETs; 陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响 2. Influence of the Trapping Effect on Temperature Characteristics in 4H-SiC MESFETs; 陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响 3. Study on Frequency Dispersion Effects of 4H-SiC MESFET Based on Traps; 基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析 3) MESFET 金属半导体场效应晶体管 1. A two-dimensional numerical model for 4H-SiC MESFET is established and the effect of the avalanche and tunneling on the elect rical breakdown characteristics is analyzed. 建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型 ,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用。 2. With excellent figure of merits such as high electron mobility, low anisotropy and low ionization compared with other types of SiC, 4H-SiC metal-semiconductor-field-effect-transistor (MESFET) is a p. 在微波功率器件中，4H-SiC金属半导体场效应晶体管（MESFET）更引起了人们的广泛重视，目前其应用主要集中于固态相控阵雷达系统、新一代移动通讯基站、超高频广播电视发射系统等领域。 4) MESFET 金属-半导体场效应晶体管 5) MESFET 金属半导体场效应管 1. Analysis of MESFET PA with Volterra Series Method; 伏特拉级数分析金属半导体场效应管放大器 6) MESFET 肖特基栅场效应晶体管参考词条 VCO VCO VCO VCO VCO MESFET switch SiC MESFET GaAs MESFET SiC MESFET SiC MESFET 4H-SiC MESFET SiC MESFET GaAs MESFET 强峰拖尾妇女大会补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET） JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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