1) Bi_2Ti_2O_7
介电薄膜
1.
Bi_2Ti_2O_7 thin films have reletive high dielectric constant.
Bi_2Ti_2O_7介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件。
2) gray dielectric thin film
灰介电薄膜
1.
The concept of effective conductivity of gray dielectric thin film is introduced.
用Boltzmann传输方程建立灰介电薄膜声子辐射传热方程,提出灰体介电薄膜的当量导热系数的概念,指出Fourier定律只适用于声学极厚区域,给出了用Fourier定律进行热流密度计算的误差。
3) thin dielectric film
电介质薄膜
1.
Size effect of the thermal conductivity across thin dielectric films;
电介质薄膜导热系数的尺寸效应
2.
Non equilibrium molecular dynamics (NEMD) simulations have been performed to explore the normal thermal conductivity of nanoscale thin dielectric films.
通过非平衡分子动力学 (NEMD)模拟预报了纳米电介质薄膜的法向导热系数 。
4) dielectric film
电介质薄膜
1.
A new dielectric film-SiOP was grown on InGaAsP/InP multi-quantum wells (MQW) structure by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1。
5) high-k thin films
高介电薄膜
6) thin film dielectric
薄膜电介质
补充资料：钽基介电薄膜
分子式：
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条