1) High-k dielectric films
高k电介质薄膜
1.
research of High-k dielectric films for MOS gate dielectric applications;b.
本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。
3) thin dielectric film
电介质薄膜
1.
Size effect of the thermal conductivity across thin dielectric films;
电介质薄膜导热系数的尺寸效应
2.
Non equilibrium molecular dynamics (NEMD) simulations have been performed to explore the normal thermal conductivity of nanoscale thin dielectric films.
通过非平衡分子动力学 (NEMD)模拟预报了纳米电介质薄膜的法向导热系数 。
4) dielectric film
电介质薄膜
1.
A new dielectric film-SiOP was grown on InGaAsP/InP multi-quantum wells (MQW) structure by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1。
5) thin film dielectric
薄膜电介质
6) high-k thin films
高介电薄膜
补充资料：高分子电介质
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：见高分子绝缘材料。
分子量：
CAS号：
性质：见高分子绝缘材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条