1) indium arsenate
砷酸铟
1.
A new three-dimensional microporous indium arsenate has been synthesized for the first time from the hydrothermal reaction of H 2O, InCl 3·4H 2O, H 3AsO 4 and C 6H 12N 2·6H 2O.
首次以有机胺为结构导向剂 ,在水热条件下合成了微孔砷酸铟材料InAsO4 1,并对其进行了结构及性质表征 。
2) InAlAs/InGaAs
铟铝砷/铟镓砷
3) AlInAs/GaInAs
铝铟砷/镓铟砷
4) InGaAs
铟镓砷
5) InAlAs
铟铝砷
6) GaInAsSb
镓铟砷锑
补充资料：砷锑化铝铟
分子式：InxAl1-xSbyAs1-y; o≤x≤1 o≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区，可在磷化铟、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光到4μm红外光发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区，可在磷化铟、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光到4μm红外光发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条