1) Auger lineshape analysis
俄歇峰形分析
1.
Auger lineshape analysis is employed in the study of chemical and electronic states of GaAs/Si interface.
利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。
2) Auger analysis
俄歇分析
1.
Using the diffusion of galium in SiO_2/Si series,Auger analysis of gallium-diffused silicon wafer is made.
采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 。
2.
The arsenic layer of about 10nm deposited on the bubble surface of GaAs that was grown under microgravity condition has been measured by Auger analysis.
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。
3) Auger lineshape correction
俄歇峰形修正
4) Auger peaks of cerium
铈俄歇峰
5) Auger peak
俄歇峰
6) Auger quantitative anaysis
俄歇定量分析
补充资料：俄歇产额
分子式：
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条