1) Plane target sputtering
平面靶直流溅射
2) direct current target detection sputtering
直流对靶溅射
3) direct current magnetron co-sputtering
双靶直流共溅射法
4) direct current facing targets magnetron sputtering
直流对靶磁控溅射
1.
direct current facing targets magnetron sputtering and vacuum annealing.
本文采用两种制备方法在Si3N4基底上制备得到具有金属-绝缘体相变特性的氧化钒薄膜,即:一、离子束溅射高价非稳态氧化钒薄膜和还原热处理制备;二、直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜和真空热处理制备。
2.
Vanadium oxide thin films were deposited by reactive direct current facing targets magnetron sputtering,and then processed in oxygen ambience to fabricate phase transition vanadium oxide thin films.
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。
5) DC reactive magnetron co-sputtering with two targets
双靶直流磁控共溅射
1.
Cu-doped TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron co-sputtering with two targets.
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。
6) DC sputtering
直流溅射
1.
Fabrication and properties of (100) oriented MgO by DC sputtering on Si substrate
择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征
2.
ZnO:Al films with different thickness were prepared by using a simple DC sputtering system.
介绍了如何把“透明电极薄膜的制备及其电阻率测量”的实验引入到普通物理实验教学中,用简单的直流溅射镀膜仪制备不同厚度的金属氧化物透明电极薄膜(ZnO:A l薄膜),并用四探针测量了它们的电阻率。
3.
The coating technology of inner wall of stainless steel pipe with TiN film by DC sputtering is presented in detail in this paper.
介绍了对不锈钢管道大面积内壁用直流溅射方法镀TiN薄膜的技术及工艺,并分析了薄膜的相关参数,测试了镀膜管道的真空性能。
补充资料：直流溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
CAS号：
性质：利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。靶材(接阴极)表面溅射出来的原子沉积在基片或工件(阳极)上，形成镀层。两极之间加2～3kV直流电压，阴极附近形成高密度的等离子体区，直流电压使离子加速轰击靶材表面，发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子趋向基片。如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低，限制了大规模工业化应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条